WMP09N90C2

WML0 09N90C2, WMK09N9 90C2, WM MM09N90C C2 WMN0 09N90C2, WMP09N90C2, WM MO09N90C C2 900V V 1.16Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C2 is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or app...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WML90R500S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMJ90R500S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ90R360S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт

Файлы 1

показать свернуть
WML0 09N90C2, WMK09N9 90C2, WM MM09N90C C2 WMN0 09N90C2, WMP09N90C2, WM MO09N90C C2 900V V 1.16Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C2 is G D S G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D Features D S S G G TO-26 63 VDS =9 950V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.16 6Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency.  D G D G S TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit VDSSS 900 V ID 8 A 4.8 A IDM M 16 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 145 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.21 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 85 31 W 0.68 0.25 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 8 A IS,puulse 16 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 1.47 4 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.3.0, 2020 Doc.W08 890001 1 / 10 PDF
Документация на серию WMx09N90C2 

Microsoft Word - WMx09N90C2 W0890001 V3.0

Дата модификации: 24.05.2022

Размер: 662.3 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.