WMS17P03TS
WMS17P03TS
30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D
WMS17P03TS uses advanced power trench technology that has been
D
D
D
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
superior switching performance.
S
Features
S
S
G
SOP-8L
VDS= -30V, ID = -17.5A
RDS(on) < 5.2mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 6.8mΩ @ VGS = -4.5V
Green Device Available
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P- | CJQ16P03 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
| ||
P- | NCE30P25S (NCE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| |
P- | YJS4409B (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS17P03TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 06.03.2024
Размер: 769.5 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.