WMS17P03TS

WMS17P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS17P03TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  S S G SOP-8L VDS= -30V, ID = -17.5A RDS(on) < 5.2mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 6.8mΩ @ VGS = -4.5V  Green Device Available ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:
  • Норма упаковки: 4000  шт. (в ленте)

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- CJQ16P03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
P- YJS4409B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.