WMS17P03TS

WMS17P03TS 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D WMS17P03TS uses advanced power trench technology that has been D D D especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  S S G SOP-8L VDS= -30V, ID = -17.5A RDS(on) < 5.2mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 6.8mΩ @ VGS = -4.5V  Green Device Available ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ16P03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ±
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- YJS4409B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.