YJS4409B
RoHS
YJS4409B
COMPLIANT
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=-20V)
● RDS(ON)( at VGS=-10V)
● RDS(ON)( at VGS=-4.5V)
● 100% EAS Tested
-30 V
-18 A
<5.3 mΩ
<6 mΩ
<10 mΩ
General Description
● Trench Power LV MOSFET technology
● High density cell design for Low RDS(ON)
● High Speed switching
● Moisture Sensitivity Level 3
● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Аналоги 9
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | YJS4409A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 1000 шт | ||
P- | WMS14P03T1 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | ||
P- | CJQ16P03 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 |
| ||
P- | WMS17P03TS (WAYON) | — | в ленте 4000 шт | ||
P- | CRTE080P03L2P (CRMICRO) | SOP-8 | в ленте 5000 шт | ||
P- | JMTP080P03A (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | ||
P- | IRF9317TRPBF (JSMICRO) IRF9317TRPBF (INFIN) | — | 50 шт | ||
P- | NCE30P25S (NCE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| |
P- | IRF9317 (EVVO) | SOP-8 | в ленте 3000 шт |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.