YJS4409B

RoHS YJS4409B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -18 A <5.3 mΩ <6 mΩ <10 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲
  • Корпус: SO-8 SOIC8
  • Норма упаковки: 4000  шт. (в ленте)

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= YJS4409A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
P- WMS14P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- CJQ16P03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
P- WMS17P03TS (WAYON)
 
в ленте 4000 шт
 
P- CRTE080P03L2P (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 5000 шт
 
P- JMTP080P03A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF9317TRPBF (JSMICRO)
 

IRF9317TRPBF (INFIN)
50 шт
 
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
P- IRF9317 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.