YJS4409B

Yangjie
RoHS YJS4409B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -18 A ＜5.3 mΩ ＜6 mΩ ＜10 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид LM2904

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJS4409A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
P- WMS14P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ16P03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- WMS17P03TS (WAYON)
 
— в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
P- CRTE080P03L2P (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- JMTP080P03A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF9317TRPBF (JSMICRO)
 

IRF9317TRPBF (INFIN) 		— 50 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE30P25S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- IRF9317 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4409B COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -18 A ＜5.3 mΩ ＜6 mΩ ＜10 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Power management ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±25 V -18 TA=25℃ Drain Current ID A -11 TA=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM -200 A EAS 400 mJ 3 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1.25 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 32 40 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4409B F2 Q4409B 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E324 Rev.1.0,24-Mar-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4409B 

Дата модификации: 21.04.2023

Размер: 563.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)