NCE30P25S

NCE
NCE30P25S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON) <9mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <14mΩ @ VGS=-4.5V ● High power and current handing capabilit...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMS14P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- YJS2022A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
 — —
P- WMS15P02T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF9310TR (YOUTAI)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- CRTE080P03L2P (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 5000 шт
 
 — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP080P03A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- JMTP085P02A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE30P25S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P25S uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch or power management. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -25A RDS(ON) <9mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <14mΩ @ VGS=-4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Application Marking and pin assignment ● Power management ● Load switch SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE30P25S NCE30P25S SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID -25 A Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM -100 A Maximum Power Dissipation PD 3.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 36 ℃/W Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min BVDSS VGS=0V ID=-250μA -30 Typ Max Unit - V Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v5.0 PDF
Документация на NCE30P25S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 24.06.2022

Размер: 700 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)