2N7002KC

YANGJIE
RoHS 2N7002KC COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5ohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.0ohm ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002K_R1_00001 (PJ)
 
— — — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —
P= NX7002AK.215 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 3000 шт MOSFET N-CH 60V TO-236AB — — — — — — — — — — — —
A+ 2N7002KCWQ (YJ)
 
SOT-323-3 — —
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
SOT-23-3 — — —
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
A+ 2N7002KW (YJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR) 		— — —
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт — —
A+ 2N7002KCW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт — —
A+ 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		— в ленте 20000 шт — — —
A+ 2N7002KCE (YJ)
 
SOT-523
 
 — —
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — —
A+ 2N7002KCQ (YJ)
 
SOT-23-3 — —
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3 — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS 2N7002KC COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5ohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.0ohm ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 300 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 240 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 300 mW RθJA 416 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002KC F2 72KC. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E097 Rev.3.5,24-Oct-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002KC 

Дата модификации: 04.11.2022

Размер: 651.8 Кб

6 стр.

RoHS 2N7002KC COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 300mA ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜2.5ohm ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜3.0ohm ● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 300 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 240 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 300 mW RθJA 416 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2N7002KC F2 72KC. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E097 Rev.3.1,09-Dec-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на 2N7002KC 

Microsoft Word - 2N7002KC

Дата модификации: 09.12.2020

Размер: 810.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)