SS34A

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 40 В, ток до 3 А, с падением напряжения 500 мВ, ёмкостью перехода 150 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P+ SS34-A (ANBON)
 
DO214AC
P+ SK34 SMBG (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P+ SS34BQ (YJ)
 
DO214AA
 
P+ SS34BF (YJ)
 
в ленте 15000 шт
 
P= SS34AQ (YJ)
 
DO-214AC SMA
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM340A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SL34-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= B340AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS34G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SS34 (JSCJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS24A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SM240A (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= SS24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SK34 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
P= SS34 (YJ)
 

SS34 (ONS-FAIR)
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS32 (YJ)
 

SS32 (ONS-FAIR)
DO214AB 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 20V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS34B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 40V V(RRM), Silicon
P= SS520B (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= SS34F (JSCJ)
 
DO221AC в ленте 3000 шт
 
P= SM240B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SK34 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
P= SK24 (JSCJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SL24-B (ANBON)
 
DO214AA
P= SS24T3G (JSMICRO)
 
 
P= SM340B (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SS24BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SS310BG (SHIKUES)
 
DO214AA
 
P= SSL24 (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
P= SM340BF (LRC)
 
 
P= SS34-BF (ANBON)
 
 
P= SS24 (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= SS24AQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Schottky Rectifier
P= SS24-A (ANBON)
 
DO214AC
P= SS24G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= SM330A (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
A- SSL34A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS32A THRU SS320A COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses, high efficiency ● High forward surge capability ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DO-214AC ( Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■ Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SS PARAMETER SYMBOL UNIT 32A 33A 34A 35A 36A 38A 310A 315A 320A 32A 33A 34A 35A 36A 38A 310A 315A 320A 20 30 40 50 60 80 100 150 200 SS Device marking code VRRM V IO A 3.0 Surge(non-repetitive)forward current @60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 70 Storage temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction temperature Tj ℃ Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (FIG.1) -55~+125 -55 ~+150 ■ Electrical Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=3.0A Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode@ VRM=VRRM IRRM mA PARAMETER SS 32A 33A 34A 0.50 35A 36A 0.70 38A 310A 315A 0.85 320A 0.90 Ta=25℃ 0.50 0.10 Ta=100℃ 10 5.0 1/4 S-S132 Rev. 2.4,28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS310A 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 18.08.2018

Размер: 1.02 Мб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    21 сентября 2023
    новость

    Зарядная станция мощностью 3…10 кВт для электромобилей

    С ростом популярности электромобилей возникает потребность в надежной, удобной и эффективной инфраструктуре для их подзарядки. Электрические зарядные устройства (ЗУ) по мощности делятся на четыре уровня (I – 3 кВт, II – 10 кВт, III – 50…75 кВт, IV... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.