YJB120G08AF2

RoHS YJB120G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 120A <4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
23 мая 2023
новость

Новинка от SUNCOYJ – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCOYJ предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.