YJB120G08AF2

YANGJIE
RoHS YJB120G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 120A ＜4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
PH YJB120G08A (YJ)
 
TO263 800 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB120G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 120A ＜4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 80 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TC=25℃ Unit 120 Drain Current ID A Tc=100℃ 76 Pulsed Drain Current A IDM 480 A Avalanche energy B EAS 506 mJ Tc=25℃ 208 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 83.3 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Symbol Limit Units ■Thermal resistance Parameter t≤10S 14.88 Thermal Resistance Junction-to-Ambient D ℃/W RθJA Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case 72.28 Steady-State RθJC 0.6 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) YJB120G08A F2 YJB120G08A 800 / OUTER CARTON DELIVERY MODE QUANTITY(pcs) 8000 13“ reel 1/7 S-E153 Rev.1.1,29-Oct-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB120G08AF2 

Дата модификации: 19.11.2021

Размер: 834 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 мая
    новость

    Новинка от YANGJIE – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

    Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)