Новинка от SUNCO – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

23 мая 2023

управление питаниемуправление двигателемпотребительская электроникаSUNCOновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)

Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCO предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Trench) и представляют собой Trench MOSFET с экранированным затвором.

В них улучшены такие характеристики, как:

  • напряжение пробоя «сток-исток» V(BR)DSS;
  • сопротивление открытого канала RDS(on);
  • общий заряд затвора Qg;
  • защита от скачка тока при включении.

Серии N80V-N85V предлагаются в корпусах TO-220, TO-203, TO-252, PDFN5060 и ряде других (рисунок 1).

Рис. 1. Варианты корпусных исполнений транзисторов N80V-N85V

Рис. 1. Варианты корпусных исполнений транзисторов N80V-N85V

Ключевые особенности (таблица 1):

  • использование технологии SGT позволяет получить малое значение RDS(on), что сказывается на показателе FOM (Rdson×Qg) и уменьшает потери энергии при переключении транзистора;
  • оптимизирован параметр Ciss/Qs (отношение входной емкости к заряду затвора), что дает свободу в выборе ИС-драйвера затвора;
  • увеличена устойчивость транзистора к воздействию нештатных режимов работы, в частности к лавинному пробою.

Целевые области применения:

  • системы управления батареями аккумуляторов (BMS);
  • инверторные источники питания;
  • управление электромоторами;
  • системы быстрой зарядки (PD power supply).

Таблица 1. Основные электрические характеристики N80V-N85V

Наименование Корпус V(BR)DSS, В Io, A Vgs, В Rdson при Vds = 10 В, мОм Qg, нКл
YJG100G08A PDFN5060 80 100 3 3,6 73
YJG100G08E PDFN5060 80 100 1,8 3,6 90
YJD110G08A TO-252 80 110 1,8 4,2 95
YJP120G08A TO-220 80 120 3 3,9 73
YJB120G08A TO-263 80 120 3 3,6 73
YJP118G08H TO-220 85 118 3 5 62
YJB118G08H TO-263 85 118 3 4,5 63

 

•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCO

Компания SUNCO – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовления ...читать далее

Товары
Наименование
YJG100G08A (YJ)
 
YJD110G08A (YJ)
 
YJP120G08A (YJ)
 
YJB120G08A (YJ)
 
YJB120G08AF2 (YJ)
 

YJB120G08A (YJ)
YJB118G08H (YJ)