YJB120G08A

RoHS YJB120G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 120A <4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 40

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRFS4410Z (EVVO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= IRL3803S (EVVO)
 

IRL3803S (INFIN)
TO263 800 шт
 
P= CJB120SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
 
±
P= WMM071N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMK80N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMM053N10HGS (WAYON)
 
TO263 800 шт
 
P= CRTS260N10N (CRMICRO)
 
TO263
 
P= WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
P= IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMK90N08TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P= WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P= YJB70G10A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
P- WMM80N08TS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- NCEP065N85D (NCE)
 
TO263
 
±
P- NCE8295AD (NCE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
±
P- NCE8295A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P- IRFS3607L (EVVO)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
P- IRF2807S (EVVO)
 

IRF2807S (INFIN)
TO263 800 шт
 
P- CJB110SN10 (JSCJ)
 
TO2632L ±
P- CJU60SN08 (JSCJ)
 
TO2522L 1 шт
 
±
A+ IRFP4110 (EVVO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG120G10AR (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJB180G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN)
TO-247-3 в линейках 450 шт
 
A+ IRFB4110 (EVVO)
 

IRFB4110 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK043N10LGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
в ленте 2000 шт
A+ WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMO053NV8HGS (WAYON)
 
TO252
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
23 мая 2023
новость

Новинка от SUNCO – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания SUNCO предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.