YJB120G08A

YANGJIE
RoHS YJB120G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 120A ＜4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB110G10B (YJ)
 
TO263 800 шт — —
A+ YJB180G10B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт — —
A+ YJP120G08A (YJ)
 
TO-220-3 — —
A+ RUH1H150R (RUICHI)
 
TO-220-3 — —
A+ RUH1H150S-R (RUICHI)
 
TO-263-3 — —
A+ RU190N08R (RUICHI)
 
TO-220-3 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB120G08A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 120A ＜4.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Battery protection ● Load switch ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 80 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TC=25℃ Unit 120 Drain Current ID A Tc=100℃ 76 Pulsed Drain Current A IDM 480 A Avalanche energy B EAS 506 mJ Tc=25℃ 208 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 83.3 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Symbol Limit Units ■Thermal resistance Parameter t≤10S 14.88 Thermal Resistance Junction-to-Ambient D ℃/W RθJA Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case 72.28 Steady-State RθJC 0.6 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) YJB120G08A F2 YJB120G08A 800 / OUTER CARTON DELIVERY MODE QUANTITY(pcs) 8000 13“ reel 1/7 S-E153 Rev.1.1,29-Oct-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB120G08A 

Дата модификации: 29.10.2021

Размер: 855.6 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    23 мая
    новость

    Новинка от YANGJIE – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V

    Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N–канальные полевые транзисторы. Серии N80V–N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)