YJB200G06C

Yangjie
RoHS YJB200G06C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.9 mohm ＜3.9 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMB014N06LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMMB015N08HGS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB200G06C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 200A ＜2.9 mohm ＜3.9 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Consumer electronic power supply ● Isolated DC-DC Converters ● Motor control ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 200 TC=25℃ Drain Current A ID A 125 TC=100℃ Pulsed Drain Current B IDM 600 A Avalanche energy C EAS 506 mJ Total Power Dissipation D PD 260 W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 0.48 Thermal Resistance Junction-to-Ambient E RθJA 28 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃/ W ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB200G06C F2 YJB200G06C 800 / 8000 13“ reel 1/7 S-E230 Rev.1.0,23-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB200G06C 

Дата модификации: 23.06.2022

Размер: 836.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)