1200 В карбид-кремниевые MOSFET от SUNCOYJ – высокая стабильность параметров и скорость переключения

20 апреля 2023

телекоммуникацииавтомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемSUNCOYJновостьдискретные полупроводникиAC-DC ConvertersSiC MOSFETзарядное устройство для электромобиляСиловая электроника

В условиях интенсивного роста рынка инверторов и других преобразователей энергии наблюдается устойчивый спрос на карбид-кремниевые полевые транзисторы (SIC MOSFET). Они становятся особенно популярны благодаря тому, что при совместном использовании с карбид-кремниевыми диодами в составе силовых узлов позволяют значительно увеличить скорость переключения и одновременно с этим повысить эффективность всей системы при оптимальном энергопотреблении.

Компания SUNCOYJ – крупнейший производитель полупроводниковых дискретных и силовых компонентов – представляет SIC MOSFET собственной разработки. Данные транзисторы отвечают высоким требованиям индустрии по таким показателям, как скорость переключения, пропускная способность по току и высокая надежность. Такие компоненты особенно хорошо подходят для применения в устройствах с повышенными требованиями к уровню управляемости и скорости переключения транзистора.

Отличительной чертой данных SIC MOSFET является стабильность параметров при довольно высоком значении максимальной температуры (до 175°C). Кроме того, эти униполярные устройства с высокой скоростью переключения подходят для высоковольтных и высокочастотных приложений. Благодаря новой технологии производства тонких слоев карбид-кремниевые полевые транзисторы характеризуются низким импедансом, что существенно снижает потери (таблица 1).

Таблица 1. Основные технические параметры SIC MOSFET производства SUNCOYJ

Наименование Блоки-рующее напря-жение, В Ток, A Поколе-ние Сверхнизкое сопротив-ление канала в открытом состоянии, мОм @25°C Заряд затвора, нКл Выходная емкость, пФ Рассеива-ние мощнос-ти, Вт Тепловое сопротив-ление,
°C/Вт
Корпус
YJD21080NCTG1 1200 38 1 77 41 58 220 0,68 TO-247-3L
YJD21080NCFG1 1200 38 1 77 41 58 223 0,67 TO-247-4L
YJD212040NCTG2 1200 66 2 33 116 127 333 0,45 TO-247-3L
YJD212040NCFG2 1200 66 2 33 116 127 333 0,45 TO-247-4L
* Максимальная температура перехода – 175°С.

Стоит также отметить, что SUNCOYJ предлагает на выбор несколько вариантов корпусов, например, TO-247-3L и TO-247-4L (рисунок 1).

Рис. 1. SIC MOSFET производства YANGJIE в корпусах TO-247-3L (а) и TO-247-4L (б)

Рис. 1. SIC MOSFET производства SUNCOYJ в корпусах TO-247-3L (а) и TO-247-4L (б)

Высоковольтные карбид-кремниевые полевые транзисторы производства компании SUNCOYJ изготовлены из экологичных материалов и отвечают требованиям стандартов RoHS. Они прошли все процедуры сертификации в индустрии, включая тесты HTRB, THGB и HV-H3TRB.

Варианты применений:

  • солнечные панели;
  • электромобили;
  • зарядные станции;
  • энергоснабжение.
•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCOYJ

Компания SUNCOYJ – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовлени ...читать далее

Товары
Наименование
YJD212040NCTG1 (YJ)
 
YJD212040NCFG1 (YJ)
 
YJD212040NCTG2 (YJ)
 
YJD212040NCFG2 (YJ)
 
YJD2120160NCTG1 (YJ)
 
YJD2120160NCFG1 (YJ)
 
YJD206560NCTG1 (YJ)
 
YJD206560NCFG1 (YJ)