YJD30P04A

SUNCOYJ
RoHS YJD30P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40 V -30 A ＜30 mΩ ＜45 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● High density cell design ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD30P04A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -40 V -30 A ＜30 mΩ ＜45 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -6 TA=25℃ -3.8 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ -30 TC =100℃ -19 Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM -70 A EAS 52.5 mJ 2.5 TA=25℃ 1 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 50 TC =100℃ 20 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Thermal Resistance Junction-to-Case Symbol Typ Max Steady-State RθJA 40 50 Steady-State RθJC 2 2.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD30P04A F1/F2 YJD30P04A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E356 Rev.1.0,08-Jun-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD30P04A 

Дата модификации: 07.06.2023

Размер: 484.2 Кб

7 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    27 сентября 2023
    новость

    Новые P-канальные MOSFET-транзисторы SUNCOYJ для коммутации цепей питания

    Применение полупроводникового компонента в качестве ключа, коммутирующего питание нагрузки, позволяет осуществить более интеллектуальное управление с защитой цепей и оборудования от чрезмерных токов в момент переключения. Постоянно растущий спрос... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)