YJG110G04HHQ

SUNCOYJ
RoHS YJG110G04HHQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 110A ＜1.9mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T17AG (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T17A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP40T15GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T15AGU (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T14G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ YJG130G04A (YJ)
 
—
 
 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ HGQ014N04B-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG110G04HHQ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 110A ＜1.9mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free ● Part no. with suffix ”Q” means AEC-Q101 qualified Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 20 TA=25℃ TA=100℃ Drain Current 12 ID TC=25℃ A 110 78 TC =100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 400 A EAS 937 mJ 2.5 TA=25℃ TA=100℃ Total Power Dissipation C Unit 1 PD TC=25℃ W 100 50 TC =100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+175 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.2 1.5 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG110G04HHQ F1 YJG110G04H 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-D325 Rev.1.0,29-Aug-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG110G04HHQ 

Microsoft Word - YJG110G04HHQ

Дата модификации: 28.08.2023

Размер: 610.7 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 декабря 2023
    новость

    SUNCOYJ анонсировал производство новых N-канальных MOSFET N40V для автомобильных приводов

    Современный автомобиль обладает множеством электроприводов, обеспечивающих безопасную и комфортную эксплуатацию. Усилитель рулевого управления, насосы тормозной системы, а также подвески и охлаждения, стеклоподъемники, корректоры фар, управление... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)