SUNCO анонсировал производство новых N-канальных MOSFET N40V для автомобильных приводов
27 декабря 2023
Современный автомобиль обладает множеством электроприводов, обеспечивающих безопасную и комфортную эксплуатацию. Усилитель рулевого управления, насосы тормозной системы, а также подвески и охлаждения, стеклоподъемники, корректоры фар, управление дверьми, стеклоочиститель и другие автомобильные компоненты и системы реализованы с помощью электроприводов различной мощности.
Компания SUNCO анонсировала линейку транзисторов N40V (таблица 1) в корпусах TO-252, TO-263, PDFN5060-8L, TOLL и DFN3333-8L (рисунок 1). Это N-канальные MOSFET с допустимым напряжением 40 В и максимальным током в диапазоне 50…320 А. Широкая область безопасной работы (SOA), небольшое тепловое сопротивление корпусов и ультрамалое сопротивление открытого канала этих транзисторов позволяют построить надежное и экономичное управление электроприводами практически любых автомобильных систем.
Рис. 1. Варианты корпусного исполнения транзисторов N40V
Общие параметры транзисторов N40V:
- тип: N-канальный MOSFET;
- максимальное напряжение «сток-исток» VDS: 40 В;
- максимальное напряжение затвора VGS: ±20 В;
- диапазон рабочих температур кристалла: -55…175°C.
Таблица 1. Характеристики MOSFET-транзисторов N40V производства SUNCO
| Наименование | Количество транзисторов в корпусе | Ток стока ID, А | Номинальное пороговое напряжение затвора Vth, В | Сопротивление перехода Rdson при VGS = 10 В, мОм | Входная емкость Ciis, пФ | Общий заряд затвора Qg, нКл | Корпус | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Ном. | Макс. | |||||||
| YJQ50G04HHQ | 1 | 50 | 3 | 5,3 | 7 | 990 | 12,5 | DFN3333-8L |
| YJGD50G04HHQ | 2 | 50 | 3 | 6,5 | 8,5 | 935 | 12,5 | PDFN5060-8L |
| YJG60G04HHQ | 1 | 60 | 3 | 5,2 | 6,8 | 1000 | 12,5 | PDFN5060-8L |
| YJD60G04HHQ | 1 | 60 | 3 | 5,5 | 7,2 | 1000 | 12,5 | TO-252 |
| YJGD60G04HJQ | 2 | 60 | 2,6 | 5,9 | 7,7 | 915 | 17,2 | PDFN5060-8L |
| YJG110G04HHQ | 1 | 110 | 3 | 1,45 | 1,9 | 4380 | 56,56 | PDFN5060-8L |
| YJD130G04HHQ | 1 | 130 | 3 | 1,9 | 2,5 | 4300 | 56,56 | TO-252 |
| YJB155G04HHQ | 1 | 155 | 3 | 1,9 | 2,5 | 4650 | 56,56 | TO-263 |
| YJG180G04HJRQ | 1 | 180 | 2,5 | 1,3 | 1,7 | 3300 | 60,8 | PDFN5060-8L |
| YJT225G04HJQ | 1 | 225 | 2,5 | 0,9 | 1,2 | 6830 | 84,3 | TOLL |
| YJG300G04HRQ | 1 | 300 | 2,8 | 0,6 | 0,85 | 5410 | 79 | PDFN5060-8L |
| YJG320G04HJRQ | 1 | 320 | 2,5 | 0,85 | 1,1 | 7000 | 88 | PDFN5060-8L |
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd (Yangjie) основан в Китае в 2000 году и за 2 десятилетия стал одним из ведущих национальных производителей дискретных полупроводников. Штаб-квартира находится в Янчжоу, провинция Цзянсу. YJ работает по IDM-модели (Integrated Device Manufacturer), объединяя полный цикл – от проектирования кристаллов до сборки и тестирования готовых изделий. Компания специализируется на решениях в области силовой электроники, соответствующих современным отраслевым тр ...читать далее
Наши информационные каналы