YJG120G10AR

Yangjie
RoHS YJG120G10AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 120A ＜4 mohm ＜5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC110SN10H (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCEP038N10GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
P- CRSM038N10N4 (CRMICRO)
 
DFN-8 150 шт
 
 — — —
P- JMSH1003AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG120G10AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 120A ＜4 mohm ＜5 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● PD charger ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 120 TC=25℃ Drain Current ID A Tc=100℃ 76 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 480 A EAS 529 mJ 108 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 46 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 42 51 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.89 1.08 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG120G10AR F1 G120G10AR 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E180 Rev.1.0,05-Nov-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG120G10AR 

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 681.6 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 апреля 2023
    новость

    Новые MOSFET SUNCO в корпусе DFN5060 для высокочастотных применений

    Во многих областях промышленной и бытовой электроники растет спрос на компоненты с высокой плотностью мощности. Компания SUNCO выпустила серию новых транзисторов MOSFET (таблица 1) в корпусе DFN5060 с усовершенствованной технологией медной клипсы,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)