Новые MOSFET SUNCOYJ в корпусе DFN5060 для высокочастотных применений

27 апреля 2023

Во многих областях промышленной и бытовой электроники растет спрос на компоненты с высокой плотностью мощности. Компания SUNCOYJ выпустила серию новых транзисторов MOSFET (таблица 1) в корпусе DFN5060 с усовершенствованной технологией медной клипсы, чтобы устранить ограничения в размерах структуры, сохранив при этом стабильность электрических и тепловых характеристик. В дальнейшем технология, по которой выводы от кристалла транзистора выполнены в виде медной шины (рисунок 1), позволит получить компоненты с еще более высокой удельной мощностью.

Рис. 1. Технология медной клипсы

Особенности новых MOSFET:

• изготовлены по технологии SGT (Shielded Gate Trench – с экранированным затвором), имеют малое внутреннее сопротивление и лучшие коммутационные характеристики;
• в сравнении с традиционной технологией, медная клипса позволяет обеспечить большее значение тока, лучшие отвод и рассеивание тепла и более широкий диапазон SOA (Safe Operating Area – область безопасной работы);
• обладают низкой паразитной индуктивностью и подходят для применения в высокочастотных решениях.

Таблица 1. Основные характеристики новой серии MOSFET производства SUNCOYJ

Применение:

• DC/DC-преобразователи высокой мощности;
• инверторные источники тока;
• мощные электроинструменты;
• зарядные устройства с технологией Power Delivery;
• приложения с горячей заменой плат.