YJG180G04HJRQ
RoHS
YJG180G04HJRQ
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
40V
180A
<1.7mΩ
General Description
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Moisture Sensitivity Level 1
● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating
● Halogen Free
● Part no. wit...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE) | — | 2000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE) | — | 2000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJG180G04HJRQ
Microsoft Word - YJG180G04HJRQ
Дата модификации: 06.06.2023
Размер: 324.1 Кб
8 стр.
Публикации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.