YJG200G04AR

SUNCOYJ
RoHS YJG200G04AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 200A ＜1.35mohm ＜2.1mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Consumer electr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T20ALL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ JMSH040SAGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ HGQ014N04B-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG200G04AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 200A ＜1.35mohm ＜2.1mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous- rectification ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ Unit 200 Drain Current ID A Tc=100℃ 152 Pulsed Drain Current A IDM 600 A Avalanche energy B EAS 625 mJ Tc=25℃ 120 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 48 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 14 19 37 48 0.85 1.04 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG200G04AR F1 G200G04AR 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E156 Rev.1.0,24-Aug-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG200G04AR 

Дата модификации: 26.08.2021

Размер: 898.6 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    27 апреля 2023
    новость

    Новые MOSFET SUNCOYJ в корпусе DFN5060 для высокочастотных применений

    Во многих областях промышленной и бытовой электроники растет спрос на компоненты с высокой плотностью мощности. Компания SUNCOYJ выпустила серию новых транзисторов MOSFET (таблица 1) в корпусе DFN5060 с усовершенствованной технологией медной... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)