YJN280G10H

SUNCOYJ
RoHS YJN280G10H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 280A ＜2.6mΩ ＜3.0mΩ General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 30 шт
 
 — — — —
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
— в ленте 10 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ CRSZ019N10N4Z (CRMICRO)
 
—
 
 — — —
A+ CRSZ025N10N (CRMICRO)
 
—
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJN280G10H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 280A ＜2.6mΩ ＜3.0mΩ General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Load switch ● Battery management ● Solar ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 20 TA=25℃ 12 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 280 TC =100℃ 177 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 1100 A EAS 562 mJ 3.4 TA=25℃ 1.3 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 277 TC =100℃ 111 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 30 36 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.35 0.45 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJN280G10H B1 YJN280G10H 30 360 1800 Tube 1/8 S-E454 Rev.1.0,20-Oct-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJN280G10H 

Дата модификации: 25.10.2024

Размер: 749.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 февраля 2024
    новость

    Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

    Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП–транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)