YJN280G10H

RoHS YJN280G10H COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=6V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 280A <2.6mΩ <3.0mΩ General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±
A+ CRSZ019N10N4Z (CRMICRO)
 
 
A+ CRSZ025N10N (CRMICRO)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJN280G10H 

Дата модификации: 25.10.2024

Размер: 749.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 февраля 2024
    новость

    Новые MOSFET N100V производства SuncoYJ для высокомощных устройств

    Компания SuncoYJ объявила о выпуске новых МОП–транзисторов (MOSFET), выполненных по технологии SGT, которая позволяет уменьшить сопротивление открытого канала и расширить область безопасной работы (SOA), одновременно снизив входную емкость.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.