YJS8205B

RoHS YJS8205B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 7A <18mohm <22mohm <39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability SOT-23-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ±
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ±
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
±
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
±
A+ CJND2004 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ±
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJBE5005 (JSCJ)
 
±
A+ CJ6617SP (JSCJ)
 
 
±
A+ CJ4506SP (JSCJ)
 
 
±
A+ CJS9004 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.