IRF7416TR

UMW
UMW l l l l l R IRF7416 P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D S Top View Absolute Maximum Ratings Parameter Max. ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -10 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -7.1 IDM Pulsed Drain Current PD @TA...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF7416TR (INFIN)
  • Корпус: —
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7416TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 4000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS4435A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 52 шт
 
 — —
P- WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
P- CR4437 (CRMICRO)
 
SOP-8 в коробках 3000 шт
 
 — — —
P- JMTP4953A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- TSM180P03CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW l l l l l R IRF7416 P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES Low On-Resistance P-Channel Mosfet Surface Mount dv/dt Rating Fast Switching A D 1 8 S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D S Top View Absolute Maximum Ratings Parameter Max. ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -10 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -7.1 IDM Pulsed Drain Current PD @TA = 25°C VGS Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage EAS Single Pulse Avalanche Energy c Units A -45 e dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range d W 2.5 0.02 ± 20 W/°C V 370 mJ -5.0 V/ns -55 to + 150 °C Max. Units 50 °C/W Thermal Resistance Parameter Junction-to-Ambient g RθJA Static Electrical Characteristics @ TJ = 25°C (unless otherwise specified) Parameter Min. Typ. Max. Units V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage ΔV(BR)DSS/ΔTJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance VGS(th) gfs IDSS Gate Threshold Voltage Forward Transconductance Drain-to-Source Leakage Current IGSS Gate-to-Source Forward Leakage Gate-to-Source Reverse Leakage www.umw-ic.com ––– ––– -1.0 5.6 ––– ––– ––– ––– 1 Conditions V VGS = 0V, ID = -250μA V/°C Reference to 25°C, ID = -1mA VGS = -10V, ID = -5.6A ––– 20 mΩ ––– 35 VGS = -4.5V, ID = -2.8A ––– -2.04 V VDS = VGS, ID = -250μA ––– ––– S VDS = -10V, ID = -2.8A VDS = -24V, VGS = 0V ––– -1.0 μA VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 125°C ––– -25 VGS = -20V ––– -100 nA VGS = 20V ––– 100 -30 ––– ––– ––– -0.024 ––– f f UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF7416TR 

UMW IRF7416TR

Дата модификации: 26.10.2022

Размер: 430.4 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)