IRLML6401TR

UMW
R UMW Typ UMW IRLML6401 P-Channel Enhancement MOSFET ■ Features SOT–23 ● Ultra low on-resistance. ● P-Channel MOSFET. ● Fast switching. 1. BASE 2. EMITTER MARKING 3. COLLECTOR 1F ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Drain-Source Voltage VDS -12 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25℃ Continuous Drain Current Pulsed Drain Cu...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2305 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P- YJL2305A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM01P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE2305A (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- JMTL2305B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
R UMW Typ UMW IRLML6401 P-Channel Enhancement MOSFET ■ Features SOT–23 ● Ultra low on-resistance. ● P-Channel MOSFET. ● Fast switching. 1. BASE 2. EMITTER MARKING 3. COLLECTOR 1F ■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃ Parameter Symbol Rating Drain-Source Voltage VDS -12 Gate-Source Voltage VGS ±8 Continuous Drain Current VGS=4.5V @ TA=25℃ Continuous Drain Current Pulsed Drain Current VGS=4.5V@ TA=70℃ a ID IDM Power Dissipation @ TA=25℃ Power Dissipation @ TA=70℃ PD Single Pulse Avalanche Energy b EAS Thermal Resistance.Junction- to-Ambient RthJA Linera Derating Factor Unit V -4.3 -3.4 A -34 1.3 0.8 W 33 mJ 100 ℃/W 0.01 W/℃ Junction Temperature TJ 150 Junction and Storage Temperature Range Tstg -55 to 150 ℃ Notes: a.Repetitive Rating :Pulse width limited by maximum junction temperature b.Starting TJ=25℃, L=3.5mH, RG=25Ω, IAS=-4.3A www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на IRLML6401TR 

UMW IRLML6401

Дата модификации: 19.12.2023

Размер: 4.84 Мб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)