JMTL2305B

JIEJIE
JMTL2305B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS=-12V, ID=-4.1A RDS(ON) <36mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <53mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Pack...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRLML6401TRPBF (VBSEMI)
 

IRLML6401TRPBF (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJ2305 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P- YJL2305A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P- WM01P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE2305A (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- IRLML6401TR (YOUTAI)
 

IRLML6401TR (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTL2305B Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS=-12V, ID=-4.1A RDS(ON) <36mΩ @ VGS = -4.5V RDS(ON) <53mΩ @ VGS = -2.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOT-23 top view Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 2305B JMTL2305B TAPING SOT-23 7inch 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -12 V VGSS Gate-Source Voltage ±12 V ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG TC = 25℃ -4.1 TC = 100℃ -2.6 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Ambient Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd A -16 A 1 W 125 ℃/W -55 to +150 ℃ Version :1.4 -1- PDF
Документация на JMTL2305B 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 11.04.2022

Размер: 382.8 Кб

6 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    27 апреля 2024
    статья

    Альтернатива есть: широкий ассортимент полупроводниковых компонентов JIEJIE доступен со склада КОМПЭЛ

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Сотрудничество КОМПЭЛ и китайской компании JIEJIE, лидирующей в области разработки и производства полупроводниковых компонентов, дает возможность заменить недоступную продукцию других производителей. В... ...читать

    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)