YJL2305A

Yangjie
RoHS COMPLIANT YJL2305A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) -15V -5.6A ＜34 mohm ＜44 mohm ＜62 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2305 (JSCJ)
 
SOT-23-3 10 шт
 
 — —
P- WM01P41M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE2305A (NCE)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —
P- JMTL2305B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- IRLML6401TR (YOUTAI)
 

IRLML6401TR (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS COMPLIANT YJL2305A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=-1.8V) -15V -5.6A ＜34 mohm ＜44 mohm ＜62 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Density Cell Design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -15 V Gate-source Voltage VGS ±10 V TA=25℃ Unit -5.6 Drain Current ID A TA=70℃ -4.5 Pulsed Drain Current A IDM -23 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ Steady State PD 1.2 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 105 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL2305A F2 2305. 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E660 Rev.3.1,2-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL2305A 

Дата модификации: 02.03.2022

Размер: 746.5 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)