BC847BM3

YANGJIE
RoHS BC846AM3 THRU BC848CM3 COMPLIANT NPN Transistor Features ●Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating ●Moisture Sensitivity Level 1 ●Halogen free available upon request by adding suffix ”HF” ●NPN Mechanical Data ● Package: SOT-723 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Marking: BC846AM3 BC846BM3 BC847AM3 BC847BM3 BC847CM3 BC848AM3 BC848BM3 BC848CM3 ■E...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC846BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847B (YJ)
 

BC847B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847CQ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — —
A+ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC547B (DC)
 

BC547B (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC847C (DIOTEC)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC850B (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC850C (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC337-25 (DIOTEC)
 

BC337-25 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC546B (DIOTEC)
 
TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC547C (DIOTEC)
 

BC547C (ONS-FAIR) 		TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT54A] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC817-25 (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC846B (DIOTEC)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC846C (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — — —
A+ BC847B (DIOTEC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BC846AM3 THRU BC848CM3 COMPLIANT NPN Transistor Features ●Epoxy meets UL-94 V-0 flammability rating ●Moisture Sensitivity Level 1 ●Halogen free available upon request by adding suffix ”HF” ●NPN Mechanical Data ● Package: SOT-723 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Marking: BC846AM3 BC846BM3 BC847AM3 BC847BM3 BC847CM3 BC848AM3 BC848BM3 BC848CM3 ■Equivalent circuit 1A 1B 1E 1F 1G 1J 1K 1L ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） Symbol Parameter Collector-Base Voltage BC846 BC847 BC848 VCBO Collector-Emitter Voltage BC846 BC847 BC848 VCEO VEBO Emitter-Base Voltage Value Unit 80 50 30 V 65 45 30 V 6 V IC Collector Current 0.1 A PC Collector Power Dissipation 100 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 1250 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55～+150 ℃ RΘJA 1/5 S-S4444 Rev.1.0,12-May-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BC846AM3 

Microsoft Word - BC846AM3 THRU BC848CM3-SOT-723

Дата модификации: 18.05.2023

Размер: 305.4 Кб

5 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 мая
    новость

    Миниатюрный корпус YANGJIE DFN1006-3L для малосигнальных устройств

    Корпус DFN 1006–3L производства компании YANGJIE Technology (рисунок 1) подходит для малосигнальных транзисторов и импульсных диодов (рисунок 2) с низким током утечки, которые широко применяются, например, в схемах усилителей мощности... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)