BC847BM

YANGJIE
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC846BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847B (YJ)
 

BC847B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847CQ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — —
A+ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC547B (DC)
 

BC547B (ONS-FAIR) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — — —
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — — —
A+ BC817-40 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ BC847C (DIOTEC)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC850B (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC850C (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC337-25 (DIOTEC)
 

BC337-25 (ONS-FAIR) 		TO-92-3 в ленте 4000 шт формованные выводы — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC546B (DIOTEC)
 
TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC547C (DIOTEC)
 

BC547C (ONS-FAIR) 		TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - [SOT54A] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC817-25 (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC817-40 (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ BC846B (DIOTEC)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
A+ BC846C (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — — —
A+ BC847B (DIOTEC)
 

BC847B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Файлы

показать свернуть

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 мая
    новость

    Миниатюрный корпус YANGJIE DFN1006-3L для малосигнальных устройств

    Корпус DFN 1006–3L производства компании YANGJIE Technology (рисунок 1) подходит для малосигнальных транзисторов и импульсных диодов (рисунок 2) с низким током утечки, которые широко применяются, например, в схемах усилителей мощности... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2SC4081-R (YJ)