Сравнение аналогов дляBC850BW RFG (Taiwan Semiconductor)
Исходное наименование | i | Упаковка | Корпус | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC850BW RFG (TSC) |
| 3000 шт | SOT-323-3 | |||||||||||||||
Аналогичная по основным параметрам, но без гарантии совместимости по корпусу или выводам замена | ||||||||||||||||||
BC817-25 (YJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC817-40 (YJ) BC817 (JSCJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC817-40W (YJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-323-3 | |||||||||||||||
BC846B (YJ) BC846B (DIODES) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC846BW (YJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-323-3 | |||||||||||||||
BC847B (YJ) BC847B (DIODES) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC847BW (YJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-323-3 | |||||||||||||||
BC847C (YJ) BC847C (DIODES) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC847CW (YJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-323-3 | |||||||||||||||
BC849C (YJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC547B (DC) BC547B (ONS-FAIR) | A+ |
| 1000 шт | TO-92-3 | ||||||||||||||
BC817-25 (DC) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC817-40 (DC) BC817 (JSCJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
BC847B (DC) BC847B (DIODES) | A+ | в ленте 3000 шт | ||||||||||||||||
BC847C (DC) BC847C (DIODES) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
FMMT619 (JSCJ) FMMT619 (DIODES) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 | |||||||||||||||
LBC847BLT1G (LRC) | A+ | 1 шт | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | ||||||||||||||
PBSS304NZ (YJ) | A+ |
| в ленте 5 шт | — | ||||||||||||||
2SD1691L TO-220 (UTC) | A+ | в линейках 1000 шт | ||||||||||||||||
BC817-40 (UTC) BC817 (JSCJ) | A+ | в ленте 3000 шт | SOT-23-3 |