BAT46WS

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 150 мА, с падением напряжения 1 В, ёмкостью перехода 12 пФ, производства JSCJ (JSCJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 41

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= BAT46WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= BAT46WS (ANBON)
 
SOD323
 
P= BAT46WS (SHIKUES)
 
SOD323
 
P= 1N4148G-CA2-R (UTC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123 в ленте 3000 шт
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (SHIKUES)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123
 
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= L1N4148WT1G (LRC)
 
SOD123 1 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (YJ)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123 в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAV19WS (JSCJ)
 

BAV19WS (DIODES)
SOD323 в ленте 3000 шт
 
P= 1N4148 (YJ)
 

1N4148 (DIODES)
DO35 в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
P= 1N4148WQ (YJ)
 
SOD123
 
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES)
SOD123
 
P= MMSD914 (JSCJ)
 

MMSD914 (ONS-FAIR)
SOD123 в ленте 30000 шт
 
P= L1N4148FT1G (LRC)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448W (SHIKUES)
 
SOD123 550 шт
 
P= 1N4448W (DC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
P= 1N4148WT (YJ)
 

1N4148WT (ONS-FAIR)
SOD-523 в ленте 8000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448X (JSCJ)
 
SOD-523 в ленте 8000 шт
P= L1SS400T1G (LRC)
 
SOD-523 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.1A, 90V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WT (ANBON)
 

1N4148WT (ONS-FAIR)
SOD-523
P= 1SS400 (SHIKUES)
 
SOD-523
P= BAT46W (ANBON)
 
SOD123
 
P= LBAT46T1G (LRC)
 
SOD123 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAT46W (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= BAT46W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 0.075A, 100V V(RRM)
P= BAT46W (YJ)
 
SOD123 3000 шт
 
P= BAR43 (JSCJ)
 

BAR43 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LMBR140ET1G (LRC)
 
в ленте 300 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon
A- MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
A- 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES)
SOD323 в ленте 3000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
A- 1N4148G-CB2-R (UTC)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
A- 1N4148WS SOD-323 T&R RoHS (YJ)
 
SOD323
 
A- LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAT46WSQ (YJ)
 
SOD323
 
A- BAV19WS (YJ)
 

BAV19WS (DIODES)
SOD323 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
A- BAV316 (JSCJ)
 
SOD323
 
A- 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 

Файлы 2

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes BAT46W6 SOD-23 SCHOTTKY BARRIER DIODE FEATURES High breakdown voltage z Low turn-on voltage z z Guard ring construction for transient protection + MARKING: S9 The marking bar indicates the cathode Solid dot = Green molding compound device Maximum Ratings @Ta=25℃ Symbol Parameter Peak repetitive peak reverse voltage VRRM Working peak reverse voltage VRWM Limit Unit 100 V DC blocking voltage current Forward continuous VIFR 150 mA Repetitive peak forward current (Note 1) @ tp < 1.0s, Duty Cycle < 50% IFRM 350 mA Non-repetitive Peak Forward surge current @ t = 8.3ms IFSM 750 mA Power dissipation PD 200 mW RθJA 500 ℃/W Tj -40 ~ +125 ℃ TSTG -55 ~ +150 ℃ Thermal resistance junction to ambient air Operating Junction Temperature Range Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Reverse breakdown voltage(Note 2、3) Symbol VR IR Reverse voltage leakage current (Note 2、3) IR Tj=60℃ Forward voltage(Note 2、3) Diode capacitance VF CT Test Conditions IR= 100µA Min Typ Max 100 Unit V VR1=1.5V 0.3 VR2=10V 0.5 VR3=50V 1 VR4=75V 2 VR1=1.5V 12 VR2=10V 20 VR3=50V 44 VR4=75V IF1=0.1mA 80 IF2=10mA 0.25 0.45 IF3=250mA 1 VR=0, f=1MHz 20 VR=1V, f=1MHz 12 µA µA V pF Notes: 1. Part mounted on FR-4 board with recommended pad layout. 2. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect. 3. pulsed tp ≤ 300 µs; δ ≤ 0.02. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.3 PDF
Документация на BAT46WS 

Author: Administrator

Дата модификации: 04.10.2023

Размер: 3.79 Мб

5 стр.

Документация на BAT46WS 

Author: Administrator

Дата модификации: 09.08.2021

Размер: 1.44 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.