BLM2302

Belling
Pb Free Product BLM2302 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The BLM2302 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S GENERAL FEATURES Schematic diagram ● VDS = 20V,ID = 2.9A 3 RDS(ON) < 59...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт — — — — — —
A+ CJA9452 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 ± — — — — —
A+ WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
 — Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ AO3414A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJ2312 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM4C62160A (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — —
A+ WM02N45M (WAYON)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — —
A+ WM02DN50M3 (WAYON)
 
SOT236
 
 — — — — — —
A+ YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ IRLML6246 (KLS)
 
— 1 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product BLM2302 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION D The BLM2302 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S GENERAL FEATURES Schematic diagram ● VDS = 20V,ID = 2.9A 3 RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V D 2302 RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V ● High Power and current handing capability G 1 ● Lead free product is acquired ● Surface Mount Package 2 S Marking and pin Assignment Application ●Battery protection ●Load switch ●Power management SOT-23 top view Package Marking And Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 2302 BLM2302 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ ℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Drain Current-Continuous ID Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM Maximum Power Dissipation PD Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG Limit Unit 20 V ±10 V 2.9 A 10 A 1 W -55 To 150 ℃ 125 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250µA 20 22 - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V - - 1 µA Page1 www.belling.com.cn V2.0 PDF
Документация на BLM2302 

BLM2302 V2.0

Дата модификации: 13.01.2012

Размер: 218.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)