NCE2302

NCE2302 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE2302 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S Schematic diagram General Features ● VDS = 20V,ID =4A RDS(ON) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM02N28M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL2302B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ200N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P- IRLML6246TR (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
P- WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2502 (YOUTAI)
 

IRLML2502 (INFIN)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
A+ YJL2312AL (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ CJ2312 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ CJ2312 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO3414A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 180 шт
 
A+ CJK8804 (JSCJ)
 
SOT233L
 
±
A+ WM02DN48M3 (WAYON)
 
SOT236 65 шт
 
A+ YJL3416A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJL2312AQ (YJ)
 
 
A+ NCE9926 (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ YJJ08N02A (YJ)
 
SOT236 3000 шт
 
A+ JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ SI2300A (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
A+ IRLML6246 (KLS)
 
1 шт
 
A+ IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02DN48A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
A+ YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJJ12N02A (YJ)
 
в ленте 6000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE2302 http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE2302 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S Schematic diagram General Features ● VDS = 20V,ID =4A RDS(ON) < 59mΩ @ VGS=2.5V RDS(ON) < 45mΩ @ VGS=4.5V ● High power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Marking and pin assignment Application ● Battery protection ● Load switch ● Power management SOT-23 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE2302 SOT-23 Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V Drain Current-Continuous ID 4 A Drain Current-Pulsed IDM 10 A PD 1 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 125 ℃/W (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 20 22 - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=20V,VGS=0V - - 1 μA Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 Off Characteristics v4.0 PDF
Документация на NCE2302 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 08.02.2023

Размер: 569.2 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.