WM02N50M

WM02N50M N-Channel Enhancement MOSFET Features    Way-on Small Signal MOSFETs VDS= 20V, ID = 5A RDS(on) <24mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) <35mΩ @ VGS = 2.5V Trench LV MOSFET Technology Mechanical Characteristics  SOT-23 Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating (TJ=25°C unless otherwise noted) Parameter Symbol Val...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 33

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WM02N31M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM02N28M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- NCE2302 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- NTR4501N (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
±
P- YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJL2300A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML2502 (YOUTAI)
 

IRLML2502 (INFIN)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
±
P- CJ8810 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
P- CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
P- YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CRTJ200N02U2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P- IRLML6246TR (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
P- JMTL2302B (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- NCE2312A (NCE)
 
SOT-23-3
 
±
A+ CJ8820 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
±
A+ LN2322ELT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
±
A+ LN2322EDT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±
A+ LN2320EDT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±
A+ LN2316ELT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
±
A+ NCE3416 (NCE)
 
SOT-23-3 1 шт
 
±
A+ JMTL3416KS (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJL2312AQ (YJ)
 
 
A+ CJK8804 (JSCJ)
 
SOT233L
 
±
A+ WMR09N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
A+ YJL2312AL (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ YJL3416A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJS10N02A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
A+ WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ LN2326EDT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.