CS11P03AE-G

Silicon P-Channel Power MOSFET R ○ CS11P03 AE-G General Description : CS11P03 AE-G the silicon P-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench VDSS -30 V ID -11 A RDS(ON)Typ 13.1 mΩ technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applicati...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ±
P- WMS12P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE4435X (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- JMTP4435A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.