Вход / Регистрация

NCE4435X

NCE
NCE4435X http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4435X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -10A RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=-4.5V RD...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- WMS12P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- YJS4407C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CS11P03AE-G (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- JMTP4435A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE4435X http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4435X uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -10A RDS(ON) < 30mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=-10V ● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired ● Surface mount package Application Marking and pin assignment ● PWM applications ● Load switch ● Power management SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE4435X NCE4435X SOP-8 Ø330mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous (TA=25℃) ID Drain Current-Continuous (TA=100℃) Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM Maximum Power Dissipation (TA=25℃) PD Maximum Power Dissipation (TA=100℃) Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range -10 -7.1 -40 3 1.3 A A W EAS 165 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 41.67 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE4435X 

Microsoft Word - NCE4435X data sheet.doc

Дата модификации: 23.04.2021

Размер: 272.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)