YJS4407C

SUNCOYJ
RoHS YJS4407C COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -12 A ＜10 mΩ ＜12 mΩ ＜20 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Me...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE3007S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P= WMS08P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P= WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P= WM03DP50A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= YJS9435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WMS12P03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ4407S (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт ± — — — — —
P- YJS4407A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 — —
P- JMTP4407A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
P- NCE30P12S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —
P- BLM10P03-E (CN BELL)
 
— 20 шт
 
 P-Channel Power MOSFET, SOP8, -30 V, -15 A, 0,008 Ohm High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection
P- YJS4407J (YJ)
 
—
 
 — —
P- IRF7424TR (YOUTAI)
 

IRF7424TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4407C COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-20V) ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested -30 V -12 A ＜10 mΩ ＜12 mΩ ＜20 mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery protection ● Power management ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -30 V Gate-source Voltage VGS ±25 V -12 TA=25℃ Drain Current ID A -7.5 TA=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy Unit B IDM -100 A EAS 100 mJ 2.5 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W 1 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 40 50 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4407C F2 Q4407C 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E323 Rev.1.0,12-Apr-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4407C 

Дата модификации: 11.04.2023

Размер: 566.8 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)