CS2N10AS-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS2N10 AS-G General Description： CS2N10 AS-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench VDSS 100 V ID 1.5 A RDS(ON)Typ 170 mΩ technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a battery protect or in other a...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRLML0030TRPBF

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- CJ2324 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
P- YJL03G10A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WM10N33M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P- WMT04N10TS (WAYON)
 
SOT2233L в ленте 2500 шт
P- NCE0106R (NCE)
 
SOT-223
P- IRLML0100TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
P- JMSL10130AL-7 (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS2N10 AS-G General Description： CS2N10 AS-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench VDSS 100 V ID 1.5 A RDS(ON)Typ 170 mΩ technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a battery protect or in other applications. The package form is SOT-23, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤ 220mΩ) l Low Gate Charge l Low Reverse transfer capacitances l 100% Single Pulse avalanche energy Test l Halogen Free Applications： LED Drive,Power Switch For adaptor. Absolute（TA= 25℃ unless otherwise specified） Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS EAS a2 Rating Units Drain-to-Source Voltage 100 V Continuous Drain Current 1.5 A Continuous Drain Current T A= 100 °C 1.0 A Pulsed Drain Current 6.0 A Gate-to-Source Voltage ±20 V 17 mJ 0.95 W 150，–55 to 150 ℃ Single Pulse Avalanche Energy PD Power Dissipation TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2019V01 PDF
Документация на CS2N10AS-G 

CS2N10%20AS-G[1].doc

Дата модификации: 20.02.2019

Размер: 449 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.