NCE0106R

NCE0106R http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0106R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 6A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V (Typ:110mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterize...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
P= WMT04N10TS (WAYON)
 
SOT2233L в ленте 3000 шт
A+ LN7617HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76076HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76098DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7617DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNB8612DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB86085DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8610HDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ WMQ10N10TS (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ LNB8616DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ LN4292T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ NCEP0112AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE0108AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE0106Z (NCE)
 
TO-92-3 1 шт ±
A+ JMTQ11DN10A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ WMT07N10TS (WAYON)
 
SOT-223 2500 шт
A+ NCE0110K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMTK10N10A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CJU10N10 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
A+ NCE0110AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ LNB8617DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE0106R http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0106R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 6A RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V (Typ:110mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation ● Pb free terminal plating ● RoHS compliant ● Halogen free Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Schematic diagram SOT-223 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0106R NCE0106R SOT-223-3L Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 6 A ID (100℃) 4.2 A Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM 24 A Maximum Power Dissipation (TC=25℃) PD 9.6 W Maximum Power Dissipation (TA=25℃) PD 3 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA 41.7 ℃/W Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2)(Drain) RθJC 13 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Wuxi NCE Power Co., Ltd Page1 V4.0 PDF
Документация на NCE0106R 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 27.05.2022

Размер: 830.2 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.