YJL03G10A

Yangjie
RoHS YJL03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 3A ＜140 mohm ＜300 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Ra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CS2N10AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMSL10130AL-7 (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P- NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- IRLML0100TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM10N33M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- CJ2324 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ NCE0106Z (NCE)
 
TO-92-3 1 шт
 
 ± — — — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ CJA03N10 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 — ± — — — — —
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 1 шт — — — — — —
A+ WMS06N10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS04N10TS (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WM10N35M2 (WAYON)
 
SOT233L
 
 — — — — — —
A+ CJA03N10S (JSCJ)
 
SOT893L в ленте 1000 шт
 
 ± — — — — —
A+ IRFL4310TRPBF (JSMICRO)
 

IRFL4310TRPBF (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJL03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 3A ＜140 mohm ＜300 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 3 Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 12 A Avalanche energy B EAS 8 mJ 1.2 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W TA=70℃ 0.8 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 82 104 111 140 43 52 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D E Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03G10A F2 1003. 3000 30000 120000 7”Reel 1/6 S-E066 Rev.3.1,11-Jul-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03G10A 

Дата модификации: 13.07.2022

Размер: 670.1 Кб

6 стр.

RoHS YJL03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) 100V 3.0A ＜140 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous-rectification ● Isolated DC/DC convertor ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 3.0 TA=25℃ Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 21 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 1.2 W RθJA 104 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03G10A F2 1003. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S2044 Rev.2.0,30-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03G10A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 21.09.2019

Размер: 732.3 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)