YJL03G10A

SUNCOYJ
RoHS YJL03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 3A ＜140 mohm ＜300 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Ra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJ2324 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — —
P- WM10N33M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- IRLML0100TR (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CS2N10AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMSL10130AL-7 (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
P- NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
A+ LN03N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ NCE0106Z (NCE)
 
TO-92-3 1 шт ± — — — —
A+ LN01N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ LNB8380DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LN2690TZHG (LRC)
 
SOT-89 ± — — — — — —
A+ LN8390DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —
A+ LNB2910LT1G (LRC)
 
SOT23LC
 
 ± — — — — — —
A+ NCE0103M (NCE)
 
SOT-89 30 шт ± — — — —
A+ NCE0103Y (NCE)
 
SOT233L
 
 ± — — — —
A+ YJJ03G10A (YJ)
 
— 34 шт
 
 — —
A+ NCE0106R (NCE)
 
SOT-223 ± — — — —
A+ JMGL3V10A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — —
A+ YJS03N10A (YJ)
 
— 120 шт
 
 — —
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ CJA03N10 (JSCJ)
 
SOT893L
 
 — ± — — — — —
A+ CJA03N10S (JSCJ)
 
SOT893L
 
 ± — — — — —
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ LNB86110DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJL03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 3A ＜140 mohm ＜300 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 3 Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 12 A Avalanche energy B EAS 8 mJ 1.2 TA=25℃ Total Power Dissipation C PD W TA=70℃ 0.8 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 82 104 111 140 43 52 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D E Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03G10A F2 1003. 3000 30000 120000 7”Reel 1/6 S-E066 Rev.3.1,11-Jul-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03G10A 

Дата модификации: 13.07.2022

Размер: 670.1 Кб

6 стр.

RoHS YJL03G10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) 100V 3.0A ＜140 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Consumer electronic power supply ● Motor control ● Synchronous-rectification ● Isolated DC/DC convertor ● Invertors ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 3.0 TA=25℃ Drain Current ID A 2.4 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 21 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 1.2 W RθJA 104 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJL03G10A F2 1003. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S2044 Rev.2.0,30-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJL03G10A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 21.09.2019

Размер: 732.3 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCOYJ

    Новые серии MOSFET производства SUNCOYJ – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)