YJM04N10A

Yangjie
RoHS YJM04N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 4.0A ＜110mohm ＜120mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applicatio...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CRTJ14DN10L (CRMICRO)
 
SOT-223
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMT04N10TS (WAYON)
 
SOT2233L в ленте 2500 шт — — —
P= NCE0106R (NCE)
 
SOT-223 ± — — — —
P- CJT04N15 (JSCJ)
 
SOT-223 10 шт ± — — — — —
P- CS2N10AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTL3N10A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- IRFL4310TRPBF (JSMICRO)
 

IRFL4310TRPBF (INFIN) 		SOT-223 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
P- JMSL10130AY (JIEJIE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ WMS240N10LG2 (WAYON)
 
— 4000 шт
 
 — — — — —
A+ WMS06N10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 1 шт — — — — — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —
A+ WMT07N10TS (WAYON)
 
SOT-223 2500 шт — — — — — —
A+ TSM950N10CW RPG (TSC)
 
SOT-223 2500 шт
 
 — —
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
—
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJM04N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 4.0A ＜110mohm ＜120mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 4 TA=25℃ Drain Current A ID 3.2 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 16 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 2.5 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 50 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 16 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking YJM04N10A F2 1004 MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE 2500 / 40000 13“ reel 2500 5000 25000 13“ reel 1/7 S-E638 Rev.3.1,03-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJM04N10A 

Microsoft Word - YJM04N10A Rev.3.1

Дата модификации: 04.11.2022

Размер: 463.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)