CS8N65ARR

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS8N65 ARR General Description ： CS8N65 ARR, the silicon N-channel Enhanced VDSS 650 V 8 A ID VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P D(TC=25℃) 120 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 0.86 Ω performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-262-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO16N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ CJPF10N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMK16N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMK14N70C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMK11N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMK10N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMP14N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMN16N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3 — — —
A+ WMO11N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ WMN11N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3 — — —
A+ WMN10N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3 — — —
A+ WMM14N70C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM11N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM10N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WML16N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ WML14N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — —
A+ WML11N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — —
A+ CJPF12N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS8N65 ARR General Description ： CS8N65 ARR, the silicon N-channel Enhanced VDSS 650 V 8 A ID VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P D(TC=25℃) 120 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 0.86 Ω performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-262, which accords with the RoHS standard. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance(Rdson≤1.0Ω)  Low Gate Charge (Typical Data:29nC)  Low Reverse transfer capacitances(Typical:6.6pF)  100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage ID a1 a2 dv/dt Units 650 V Continuous Drain Current 8 A Continuous Drain Current TC = 100 °C 5 A 32 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 500 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation 120 W Derating Factor above 25°C 0.96 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Pulsed Drain Current IDM VGS EAS Rating a3 PD TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P a g e 1 of 1 0 2 0 1 6 V0 1 PDF
Документация на CS8N65ARR 

产品特点：

Дата модификации: 25.12.2017

Размер: 500.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)