BSS138KWJ

SUNCOYJ
RoHS BSS138KWJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 0.38A ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜1.5Ω ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜1.8Ω ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ＜3.7Ω ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● M...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BSS138KWJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 60V ● ID 0.38A ● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜1.5Ω ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜1.8Ω ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ＜3.7Ω ● Gate-Source ESD Rating Up to 2KV (HBM) General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 0.38 TA=25℃ Drain Current ID A 0.24 TA=100℃ Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A 0.3 TA=25℃ Total Power Dissipation B PD W 0.12 TA=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient C Steady-State Symbol Typ Max Units RθJA 330 400 ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS138KWJ F2 BK 3000 30000 120000 7“ reel 1/8 S-E268 Rev.1.0,03-Nov-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS138KWJ 

Дата модификации: 10.11.2023

Размер: 690.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)