BC846B

Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
PA BC846B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
PA BC846B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC846B (YOUTAI)
BC846B (DIODES)
 
P= BC846B (DIOTEC)
BC846B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846B (YJ)
BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846B (HOTTECH)
BC846B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC846BT (NXP) SOT-23-3 Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC846.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846B (MULTCMP)
BC846B (DIODES)
TO236
 
P= BC846BQ (YJ) SOT-23-3
 
P= BCV72.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
F~ BC846BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.