BC847BQ

 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847B (DC)
 

BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847B (YJ)
 

BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
в ленте 5 шт
A+ BC547B (DC)
 

BC547B (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC846BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ LBC847BLT1G (LRC)
 
1 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
A+ BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847BT (YJ)
 
SOT-523
 
A+ BC847BWQ (YJ)
 
SOT-323-3

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.