BC856B

DC COMPONENTS CO., LTD. BC856 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .063(1.60) .055(1.40) 1 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Charact...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC856A (JSCJ)
 

BC856A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC856B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856B (JSCJ)
 
 
P= BC856B (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC337-40 (DC)
 
TO-92-3 1000 шт
 
P= BC817-40 (DC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-16 (DC)
 
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC817 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817G-40-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (UTC)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (JSCJ)
 

BC817 (JSCJ)
 
P= BC337 (JSCJ)
 

BC337 (ONS-FAIR)
TO-92-3 2000 шт
 
P= BC817-25 (DC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817 (SHIKUES)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-40 (YJ)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBC817-40LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC817-25 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-16 (JSCJ)
 
 
P= BC817-40Q (YJ)
 
SOT-23-3
 
P= BC817-25 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
P= BC817-25 (JSCJ)
 
 
P= BC817-25Q (YJ)
 
127 шт
 
P= BC817-40 (SHIKUES)
 

BC817 (JSCJ)
SOT-23-3
 
P= BC856BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856BW (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
P= BC856 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC817-16 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC856W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт

Файлы 1

показать свернуть
DC COMPONENTS CO., LTD. BC856 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for switching and AF amplifier amplification suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 2 = Emitter 3 = Collector 3 .063(1.60) .055(1.40) 1 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -80 V Collector-Emitter Voltage VCEO -65 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current IC -100 mA mW Total Power Dissipation PD 225 Junction Temperature TJ +150 o Storage Temperature TSTG -55 to +150 o .108(0.65) .089(0.25) 2 .091(2.30) .067(1.70) .045(1.15) .034(0.85) .118(3.00) .110(2.80) .0043(0.11) .0035(0.09) .051(1.30) .035(0.90) .026(0.65) .010(0.25) C .004 Max (0.10) .027(0.67) .013(0.32) Dimensions in inches and (millimeters) C Electrical Characteristics o (Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified) Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Collector-Base Breakdown Volatge BVCBO -80 - - V IC=-100µA Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO -65 - - V IC=-1mA Emitter-Base Breakdown Volatge BVEBO -5 - - V IE=-1µA ICBO - - -15 nA VCB=-30V Collector Cutoff Current (1) Collector-Emitter Saturation Voltage (1) Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage VCE(sat)1 - -75 -300 mV IC=-10mA, IB=-0.5mA VCE(sat)2 - -250 -650 mV IC=-100mA, IB=-5mA VBE(sat)1 - -700 - mV IC=-10mA, IB=-0.5mA VBE(sat)2 - -850 - mV IC=-100mA, IB=-5mA VBE(on)1 -600 - -750 mV IC=-2mA, VCE=-5V VBE(on)2 - - -820 mV IC=-10mA, VCE=-5V hFE 75 - 800 - IC=-2mA, VCE=-5V fT - 150 - MHz IC=-10mA, VCE=-5V - 4.5 - pF VCB=-10V, f=1MHz (1) DC Current Gain Transition Frequency Output Capacitance Cob (1)Pulse Test: Pulse Width Test Conditions 380µs, Duty Cycle 2% Classification of hFE Rank A B C Range 125~250 220~475 420~800 PDF
Документация на BC856A 

Дата модификации: 07.12.2023

Размер: 228.2 Кб

1 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.