IRF9358

IRF9358 Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRF9358 uses advanced trench technology and design to provide excellent R DS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. D1 8 General Features D1 7 D2 D2 6 5 3 4 VDS = -30V,ID = -11A 1 RDS(ON) < 18m @ V GS=-10V S1 2 G1 S2 G2 RDS(ON) < 27m @ V GS=-4.5V Dual P-Channel MOSFET App...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE30PD08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
P- CRMM4805D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
P- JMTP160P03D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.