JMTP160P03D

JIEJIE
JMTP160P03D Description JMT Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -30V, ID= -11A RDS(ON) <17mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJQ4435 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- WMS09DP03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- WM03P51A (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE30PD08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJS4435B (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — — —
P- CRMM4805D (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- IRF9358 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- IRF7328 (EVVO)
 

IRF7328 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP160P03D Description JMT Dual P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -30V, ID= -11A RDS(ON) <17mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 27mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 160P03D JMTP160P03D TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ -11 A TA = 100℃ -7 A -44 A 68 mJ TA = 25℃ 3.6 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 34.7 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG note1 note2 Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.1 -1- PDF
Документация на JMTP160P03D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 10.12.2020

Размер: 433.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)