Вход / Регистрация

IRFR5505

EVVO
IRFR5505 -60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFR5505 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = -60V ID =-10 A RDS(ON) < 110 mΩ @ VGS=10V Application Battery protection Loa...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IRFR5505
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRFR5505 (INFIN)
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 2500  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт — —
P- TSM680P06CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
 — — —
P- CRTD550P06N2-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
P- JMPL0648AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJD50GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — —
P- CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE60P10K (NCE)
 
TO252 10 шт
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
IRFR5505 -60V P -Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRFR5505 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = -60V ID =-10 A RDS(ON) < 110 mΩ @ VGS=10V Application Battery protection Load switch Uninterruptible power supply Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V Continuous Drain Current, VGS @ -10V1 -10 A ID@TC=100℃ Continuous Drain Current, VGS @ -10V1 -8 A ID@TA=25℃ Continuous Drain Current, VGS @ -10V1 -9 A ID@TA=70℃ Continuous Drain Current, VGS @ -10V1 -6.5 A IDM Pulsed Drain Current2 -36 A EAS Single Pulse Avalanche Energy3 25 mJ IAS Avalanche Current ID@TC=25℃ -26.6 A PD@TC=25℃ Total Power Dissipation 4 3.0 W PD@TA=25℃ Total Power Dissipation4 2 W TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ 42 ℃/W 3.6 ℃/W RθJA Thermal Resistance Junction-Ambient RθJC Junction-Case1 Rev:2023A2 Thermal Resistance 1 1 PDF
Документация на IRFR5505 

EVVO IRFR5505TR

Дата модификации: 03.07.2024

Размер: 2.97 Мб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)