YJD25GP06A

SUNCOYJ
RoHS YJD25GP06A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -60V -25A ＜50 mohm ＜65 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Low Crss ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity Applicatio...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU50P06 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 100 шт
 
 ± — — — — —
P= WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
 ± — — — — —
P= WMO35P06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
 ± — — — —
P- NCE60P12K (NCE)
 
TO252 2500 шт
 
 ± — — — —
P- CJU55P30 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE60P45K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- IRFR5305TR (YOUTAI)
 

IRFR5305TR (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- CRTD550P06N2-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
P- IRFR9024NTR (YOUTAI)
 

IRFR9024NTR (INFIN) 		TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMPL0648AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD25GP06A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested -60V -25A ＜50 mohm ＜65 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Low Crss ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity Applications ● Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters ● Industrial and Motor Drive applications ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS -60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V Tc=25℃ -25 Drain Current ID A Tc=100℃ Pulsed Drain Current Unit -16 A Avalanche energy B IDM -100 A EAS 49 mJ Tc=25℃ 72 Total Power Dissipation C PD W Tc=100℃ 28.8 Junction and Storage Temperature Range ℃ -55～+150 TJ ,TSTG ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 15 20 40 50 1.35 1.7 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD25GP06A F1 YJD25GP06A 2500 2500 25000 13“ reel 1/6 S-E177 Rev.1.0,27-Oct-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD25GP06AF1 

Дата модификации: 28.10.2021

Размер: 514.6 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)