NCE60P10K

NCE60P10K http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features ● VDS =-60V,ID =-10A RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V RDS(ON) <170mΩ @ VGS=-4.5V ● Hig...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
P- WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт
P- WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P- IRFR9024N (JSMICRO)
 

IRFR9024N (INFIN)
в ленте 2500 шт
 
P- CRTD550P06N2-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- JMPL0648AK (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRFR5505 (EVVO)
 

IRFR5505 (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.