CRTD550P06N2-G

CRTD550P06N2-G Trench P-MOSFET -60V, 42mΩ, -24A Features Product Summary • Uses CRM advanced Trench technology VDS -60V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 42mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -24A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Electrical tools • Lithium battery protect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
±
P= WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
±
P= WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
P- NCE60P12K (NCE)
 
TO252 2500 шт
 
±
P- YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт
P- IRFR9024NTR (YOUTAI)
 

IRFR9024NTR (INFIN)
TO252 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
18 марта
новость

Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.