CRTD550P06N2-G

CR Micro
CRTD550P06N2-G Trench P-MOSFET -60V, 42mΩ, -24A Features Product Summary • Uses CRM advanced Trench technology VDS -60V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 42mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -24A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Electrical tools • Lithium battery protect...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJU12P06 (JSCJ)
 
TO2522L 2500 шт
 
 ± — — — — —
P= WMO13P06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
P= NCE55P15K (NCE)
 
TO252 1 шт
 
 ± — — — —
P= WMO12P05T1 (WAYON)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJU55P30 (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE60P12K (NCE)
 
TO252 2500 шт
 
 ± — — — —
P- YJD25GP06A (YJ)
 
TO252 в ленте 25000 шт — —
P- IRFR9024NTR (YOUTAI)
 

IRFR9024NTR (INFIN) 		TO252 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTD550P06N2-G Trench P-MOSFET -60V, 42mΩ, -24A Features Product Summary • Uses CRM advanced Trench technology VDS -60V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 42mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -24A • Qualified according to JEDEC criteria 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor control and drive • Electrical tools • Lithium battery protection Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing CRTD550P06N2-G T550P06N2 TO-252 Reel Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 2500pcs Symbol Value Unit VDS -60 V ID -24 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C TC = 100°C -15.4 Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse -96 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH) EAS 72 mJ Gate-Source voltage VGS ±18 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 48.0 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) Ver. A ©WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 1 PDF
Документация на CRTD550P06N2-G 

Дата модификации: 18.05.2022

Размер: 1.03 Мб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)