IRLR2705

IRLR2705 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The IRLR2705 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features VDS = 60V ID =20 A PIN2 D ! RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=10V " PIN1 G ! Application ! ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRLR2705 (INFIN)
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 2500  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CS25N06C4 (CRMICRO)
 
TO252
 
P- YJD60N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRLR2705TRPBF (JSMICRO)
 

IRLR2705TRPBF (INFIN)
 
P- JMTK290N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRLR2705TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- NCE6020AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P- YJD80G06C (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- CJU20N06A (JSCJ)
 
TO2522L в ленте 2500 шт
 
±
P- WMO25N06TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.